SJ 50033.30-1994 半导体分立器件.3DD155型功率晶体管详细规范
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ID： |
5145E8E1253F49E99C8D8B03D46F446D |
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文件大小(MB)： |
0.49 |
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页数： |
10 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/30-94,半导体分立器件,3DD155型功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for,type 3DD155 power transistor,1994-0%30 发布 1994-12丒01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,RD155型功率晶体管,详细规范,SJ 50033/30-94,Semiconductor discrete device,Detail specification for type 3DD155 power transistor,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 3DD155型功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》L 3条.的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用字母GP、GT和GCT表示,2弓I用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或镇层.,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布 1994-12-01实施,—1 —,SJ 50033/30-94,3.2.2 器件结构,采用扩散台面结构或外延台面结构,3 . 2.3外形尺寸,外形尺寸应符合GB 758I的B2-Q1B型及如下的规定。见图!0,ミB2-O1B,min oom max,A 9.8,漑L 52,场仇9 1.1,林) 15.0,d 3.0,F 3,0,L 3. 5 1也S,厶L5,駅4.0 4.2,q 32 8 母2,息现5,爲4,3,S u.r,5 31.4,5 19.0,1 一基极,2ー发射极,集电极接外亮,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型 号,居」,Tl25 c,(W),Vcb.,(V),VcEa,CV),Pe助,(V) CA),冗,(D,T Btg,(C),3DD155B 150 100,3DD155C 200 150,3DD155D 30 250 200 5 2 175 -55-175,3DD155E 300 25Q,3DD155F 350 300,注:DTc〉務.时按2?mW/￡的速率线性地降额,3.3.2 主要电特性(Ta = 25C),—2 —,SJ 50033/30-94,、极限值,んFF,Fqe = 5V,］ヒ=1A,V,Ic = lA,レ二0，1 A,(V),V EB(Mt),Jc = lA,『…0. ia,(V),Voe^iav,Jc - O, 5A,f—Q. 3MHz,(MHz),RJj-c),Voe?10V,Ic = 0. 5A,25c /Tc<75 七,(XJ/W),風:,最大值最大值最小值最大值,3DD155B .F,黄:4〇.80,绿:60.120,蓝:100.180,1.5 1.0 5,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 458?及本规范的规定,3.5 标志,标志应符合GJB 33和本规范的规定.,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,揣样和检验应按GJB 33的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定.,4.3 筛选（仅对GT和GCT）级,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定。其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除.,筛选,（见GJB 33的表2）,测试或试验,7.中间电参数测试［じ册1和Afej,8.功率老化功率老化条件如下:,T产162±12.5じ,Vce = 25V,9.最后侧试按本规范表1的A2分组,△ム孙《初始值的1。0%或100仲A,取较大值,从皿《初始值的士 20%,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定.,4 . 4.1 A蛆检验,A组检验应按GJB 33和本规范衰1的规定进行,4 .4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,00 _,SJ 50033/30-94,4 .4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行.,4.5检验方法,检验方法应皴本规范相应的表和下列规定;,4,5,1脉冲测试,脉冲测试条件应按GJB 128的3. 3. 2. 1的规定,表1 A组检验,检验或试验,GB 4587,LTPD 符号,极限值,单位,方法条 件最小值最大值,A1分组5,外观及机械检验GJB128,2071,B2分组5,集电极一发射极本规范发射极一基极开路事ダ《師XXC,击穿电压醋录A 7c=l. OmA,3DD155B 100 V,3DD155C 150 — V,3DD155D 200 — V,3DD155E 250 — V,3DD155F 300 — V,发射极一基极ェ 9. 2,2 集电极一基极开路ヌ%R)BDO 5 一V,击穿电压7e = 0i 3mA,集电极一基极2.1 发射极一基极开路, JcsOl 一0.3 mA,截止电流Vcb……
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